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  • 罗门宣布推出第四代1.2kV碳化硅mosfet

    罗门宣布推出第四代1.2kV碳化硅mosfet

    该公司表示:“对于功率半导体,通常在较低的导通电阻与短路耐受时间之间进行权衡。” “ Rohm能够改善这种关系并将单位面积的导通电阻降低40%,而不会牺牲短路耐受时间。”这来自对其双沟槽结构的进一步研究,该结构通过最小化沟槽栅中的电场集中来提高长期可靠性。
    Rohm-1200V-Gen4-SiC-mosfet-energy-graph-655第四代还降低了寄生电容-栅极氧化膜的Cgs和Cgd以及寄生二极管的Cds-与Rohm的第三代相比,其开关损耗降低了50