Vishay推出了一款有30V p沟道功率的MOSFET

它被称为SiRA99DP，采用热增强型SO-8封装，并使用该公司的第四代TrenchFET工艺。Vishay表示：“将这种低Rds(on)与84nC的栅极电荷相结合，SiRA99DP提供了同类最佳的栅极电荷乘以185mΩ.nC的导通电阻。”“作为p沟道MOSFET，该器件不需要电荷泵来提供其n沟道对应器件所需的正栅极偏置。”
预期将在12V输入的电路中应用。
预期将其用作电源开关，反极性电池保护，“或”电源以及电动机驱动器