Nexperia宣布了第二代650V氮化镓功率晶体管

这些零件被称为“ H2”，符合汽车应用的AEC-Q101标准，第二代管芯也可在TO-247中用于工业用途。

Nexperia市场总监Dilder Chowdhury表示：“客户需要在650V和30-40mΩRds(on)左右的功率转换的解决方案，其中的应用包括车载充电器，DC-DC转换器和电动汽车的牵引逆变器。”其他重大需求是1.5 – 5kW的“ 80 Plus Titanium”级机架式电信，5G和数据中心PSU。

Chowdhury告诉《电子周刊》，该公司已经在其H1工艺上构建了50mΩ的GaN hemt(高电子迁移率晶体管)，并且正在开发35mΩ的版本。但是，降低电阻需要一个大的芯片，从而使其昂贵-更糟糕的是，因为H1技术的浮动衬底需要精心制作的封装，该封装包括内部绝缘垫片以隔离GaN芯片的背面。

转向具有直通通孔的H2技术后，制造的35mΩ裸片尺寸减小了24%，从而消除了对垫片的需求。

Nexperia-H2-GaN表一共有三个650V H2部件(右表)

传统TO-247封装中的Rds(on)为35mΩ(典型值为25°C，最大41mΩ)。

两个表面贴装的CCPAK版本降至33mΩ(通常在25°C，最大39mΩ)–一个针对顶部冷却进行了优化，而另一个针对底部冷却进行了优化(产品名称中的T和B)。

TO-247和底部冷却的SMD现在正在提供样品，随后将提供顶部冷却的版本。TO-247的25°C额定值为47.2A和187W，底部冷却的SMD的额定值为60A和300W临时。

包装名称中的CC代表“铜夹”-用成型的铜条代替键合线。

根据乔杜里(Chowdhury)的说法，铜夹封装中的电感小于2nH。他说：“拥有低劣封装的出色半导体毫无意义。”