罗门宣布推出第四代1.2kV碳化硅mosfet

该公司表示：“对于功率半导体，通常在较低的导通电阻与短路耐受时间之间进行权衡。” “ Rohm能够改善这种关系并将单位面积的导通电阻降低40%，而不会牺牲短路耐受时间。”

这来自对其双沟槽结构的进一步研究，该结构通过最小化沟槽栅中的电场集中来提高长期可靠性。

Rohm-1200V-Gen4-SiC-mosfet-energy-graph-655第四代还降低了寄生电容-栅极氧化膜的Cgs和Cgd以及寄生二极管的Cds-与Rohm的第三代相比，其开关损耗降低了50%。

裸芯片样品将从本月开始提供，随后还将提供分立封装器件。